Inleiding tot halfgeleider keramiek

Door middel van halfgeleidingsmaatregelen hebben keramiek halfgeleidende korrels en isolerende (of halfgeleider) korrelgrenzen, waardoor sterke interfacebarrières en andere halfgeleider -eigenschappen vertonen.

Er zijn twee hoofdmethoden voor halfgeleiderisatie van keramiek: methode voor gedwongen reductie en donor dopingmethode (ook bekend als atomaire valentie -controlemethode). Beide methoden vormen defecten zoals ionenvacatures in de kristallen van keramiek, waardoor een groot aantal geleidende elektronen wordt geboden, waardoor de korrels in het keramiek een bepaald type (meestal N-type) halfgeleider worden. De tussenlaag tussen deze korrels is een isolerende laag of een ander type (P-type) halfgeleiderlaag.

Er zijn veel soortenhalfgeleider keramiek, inclusief verschillende negatieve temperatuurcoëfficiënt thermistors gemaakt met behulp van de eigenschappen van de korrels in halfgeleider keramiek; halfgeleider -condensatoren, ZnO Varistors, Batio3 positieve temperatuurcoëfficiënt thermistors, CDS/Cu2S zonnecellen gemaakt met behulp van de eigenschappen van korrelgrenzen; en verschillende keramische hygroscopische weerstanden en gasgevoelige weerstanden gemaakt met behulp van oppervlakte -eigenschappen. Tabel 2 geeft een overzicht van typisch halfgeleider keramiek voor sensoren.

CDS/CU2S -foto -elektrische keramiek verschillen van het halfgeleider keramiek dat in de bovenstaande tabel wordt vermeld die de eigenschappen van de isolerende korrelgrenslaag gebruiken. Ze gebruiken het fotovoltaïsche effect van de PN-heterojunctie tussen de N-type CD's en P-type Cu2S korrelgrenslagen. Keramische zonnecellen die daarvan zijn gemaakt, kunnen worden gebruikt als stroombronnen voor onbemande stations en als foto -elektrische koppelingsapparaten in elektronische instrumenten.